数据列表：BF799W

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：RF 晶体管（BJT）

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

频率 - 跃迁：800MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：3dB @ 100MHz

增益：-

功率 - 最大值：280mW

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：40 @ 20mA，10V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：35mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商器件封装：PG-SOT323-3

工具箱：KITRFTRANS.2IN-ND - KIT SAMPLE FOR GEN PURP RF TRANS

其它名称：BF799WE6327BF799WE6327BTSA1BF799WE6327XTSP000010975